SK海力士将从《芯片法案》获得4.58亿美元补贴，支持其在美国的先进封装项目

发布时间：2025-04-05 07:53:43 来源：今日热点网作者：小舟

今年8月，SK海力士与美国商务部签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），后者将根据《芯片法案》提供约4.5亿美元的直接拨款，另外5亿美元的拟议贷款，用于在美国印第安纳州西拉斐特建造先进封装生产基地。此外，SK海力士计划通过投资税收抵免政策，向美国财政部申请相当于符合条件的资本支出的25%的税收优惠。美国商务部宣布，已根据《芯片法案》为SK海力士的商业半导体制造项目提供4.58亿美元的直接拨款，以及5亿美元的贷款。这部分资金时在今年8月签署的初步条款备忘录以及完成尽职调查之后提供的，将根据SK海力士完成项目的阶段情况支付资金。这笔补贴将支持SK海力士位于印第安纳州西拉斐特的项目，投资总额约为38.7亿美元，用于建设人工智能（AI）产品的存储器封装工厂和先进的封装制造和研发设施，预计创造约1000个新的设施工作岗位和数百个建筑工作岗位，填补了美国半导体供应链的关键空白。此外，通过SK海力士与普渡大学的合作，双方将计划在印第安纳州建立一个研究中心，一起研究、开发、大规模生产和封装的下一代HBM，在美国半导体生态系统中发挥重要作用。

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